thermisches Oxidwachstum

thermisches Oxidwachstum
šiluminis oksido auginimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. thermal oxide growth vok. thermisches Oxidwachstum, n rus. термическое выращивание оксида, n pranc. croissance thermique d'oxyde, f

Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. . 2000.

Игры ⚽ Поможем сделать НИР

Look at other dictionaries:

  • croissance thermique d'oxyde — šiluminis oksido auginimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. thermal oxide growth vok. thermisches Oxidwachstum, n rus. термическое выращивание оксида, n pranc. croissance thermique d oxyde, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • thermal oxide growth — šiluminis oksido auginimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. thermal oxide growth vok. thermisches Oxidwachstum, n rus. термическое выращивание оксида, n pranc. croissance thermique d oxyde, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • šiluminis oksido auginimas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. thermal oxide growth vok. thermisches Oxidwachstum, n rus. термическое выращивание оксида, n pranc. croissance thermique d oxyde, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • термическое выращивание оксида — šiluminis oksido auginimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. thermal oxide growth vok. thermisches Oxidwachstum, n rus. термическое выращивание оксида, n pranc. croissance thermique d oxyde, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • LOCOS — LOCOS, kurz für Local Oxidation of Silicon (dt. »lokale Oxidation von Silicium«, ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Bauelementen (meist Transistoren). Dafür wird der Silicium Wafer an ausgewählten Stellen… …   Deutsch Wikipedia

  • LOCOS-Prozess — LOCOS, kurz für englisch Local Oxidation of Silicon (dt. »lokale Oxidation von Silicium«, ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Bauelementen (meist Transistoren). Dafür wird der Silicium Wafer an… …   Deutsch Wikipedia

  • Thermische Oxidation von Silizium — Die thermische Oxidation von Silizium ist in der Halbleitertechnik ein Beschichtungsverfahren, bei dem auf einem einkristallinen Siliziumsubstrat (beispielsweise einem Silizium Wafer) eine dünne Schicht aus amorphen Siliziumdioxid aufgebracht… …   Deutsch Wikipedia

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”