croissance thermique d'oxyde — šiluminis oksido auginimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. thermal oxide growth vok. thermisches Oxidwachstum, n rus. термическое выращивание оксида, n pranc. croissance thermique d oxyde, f … Radioelektronikos terminų žodynas
thermal oxide growth — šiluminis oksido auginimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. thermal oxide growth vok. thermisches Oxidwachstum, n rus. термическое выращивание оксида, n pranc. croissance thermique d oxyde, f … Radioelektronikos terminų žodynas
šiluminis oksido auginimas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. thermal oxide growth vok. thermisches Oxidwachstum, n rus. термическое выращивание оксида, n pranc. croissance thermique d oxyde, f … Radioelektronikos terminų žodynas
термическое выращивание оксида — šiluminis oksido auginimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. thermal oxide growth vok. thermisches Oxidwachstum, n rus. термическое выращивание оксида, n pranc. croissance thermique d oxyde, f … Radioelektronikos terminų žodynas
LOCOS — LOCOS, kurz für Local Oxidation of Silicon (dt. »lokale Oxidation von Silicium«, ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Bauelementen (meist Transistoren). Dafür wird der Silicium Wafer an ausgewählten Stellen… … Deutsch Wikipedia
LOCOS-Prozess — LOCOS, kurz für englisch Local Oxidation of Silicon (dt. »lokale Oxidation von Silicium«, ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Bauelementen (meist Transistoren). Dafür wird der Silicium Wafer an… … Deutsch Wikipedia
Thermische Oxidation von Silizium — Die thermische Oxidation von Silizium ist in der Halbleitertechnik ein Beschichtungsverfahren, bei dem auf einem einkristallinen Siliziumsubstrat (beispielsweise einem Silizium Wafer) eine dünne Schicht aus amorphen Siliziumdioxid aufgebracht… … Deutsch Wikipedia